集成电路设计条款

出处：按学科分类—政治、法律 上海人民出版社《中国对外经济贸易法律大辞典》第354页（474字）

关贸总协定知识产权保护协议中关于保护集成电路设计的条款。

这一条款的主要规定是：(1)各缔约方应按照有关集成电路知识产权公约(《1989年华盛顿公约》)对集成电路的设计独占权提供保护。(2)各缔约方有义务禁止未经集成电路设计权利人的授权而在集成电路中使用其专利设计，或阻止未经集成电路设计权利人许可、但含有其专利设计的集成电路产品进入缔约方市场。

(3)以政府自用、数学、演算分析或评估集成电路设计的价值等目的而未经集成电路设计权利人许可复制专利集成电路设计，或在不知道存在专利的情况下商业性进口和销售集成电路设计的非法复制品，都不属于侵权行为。

(4)对集成电路设计专利的保护期至少为10年，其计算方法有：在以注册为保护条件的缔约方，自注册之日起算；在以实际商业应用为保护原则的缔约方，自第一次商业应用之日起算：在以注册为保护条件的缔约方未提出注册申请，集成电路设计专利对于该缔约方来说自该项设计实际商业应用之日起两年内自动消失；在任何情况下对集成电路设计专利的保护在自发明之日起的15年后自动消失。